갈륨 나이트라이드(GaN) 기판은 전력 전자, LED 및 레이저 다이오드, 무선 인프라, 태양광 셀 및 광전지 등의 응용 분야에서의 수요 증가에 힘입어, 시장 규모가 2024년 34억 달러에서 2035년까지 107억 달러로 성장할 것으로 예상됩니다.
GaN 기판의 주요 응용 및 기술 장점
갈륨 나이트라이드 기판은 높은 항복 전압과 우수한 열 전도성 덕분에 전력 전자 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 특히 고주파·고전력 장치인 전력 증폭기 및 컨버터에 적합합니다.
이 분야의 주요 기업으로는 Cree Inc. 및 Efficient Power Conversion Corporation이 있으며, 이들은 혁신적 솔루션과 강력한 시장 입지로 잘 알려져 있습니다.
또한, GaN 기판은 광전자 산업에서 LED 및 레이저 다이오드 생산에 핵심적인 역할을 하며, 직접 밴드갭과 높은 전자 이동도 덕분에 이상적인 소재로 꼽힙니다.
이 부문에서는 Nichia Corporation과 Osram Opto Semiconductors가 대표적인 글로벌 리더로 활동 중입니다.
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5G 기술 도입과 시장 수요
5G 기술의 도입은 갈륨 나이트라이드 기판에 대한 수요를 대폭 증가시켰습니다.
5G 네트워크용 고주파·고출력 장치의 제조에는 GaN 기판이 필수적이며, 이로 인해 통신 및 전자 산업 전반에서 기술적 전환이 진행 중입니다.
산업 리더십 및 전략
미국, 일본, 독일 등 상위 3개 수요 허브에서의 GaN 기판 시장은 경쟁이 치열합니다.
대표적인 주요 기업은 다음과 같습니다:
- Cree Inc.
- Sumitomo Electric Industries Ltd.
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Soitec
- Kyma Technologies Inc.
- Aixtron Ltd.
- Veeco Instruments Inc.
- EpiGaN NV
- Ammono S.A.
- Unipress
- DOWA Electronics Materials Co. Ltd.
- NTT Advanced Technology Corporation
주요 기업 전략 요약:
| Cree Inc. | 첨단 전력 및 RF 솔루션 개발 집중 |
| Sumitomo Electric Industries | 고성능 제품 및 혁신 기술에 투자 |
| Qorvo Inc. | 전략적 파트너십을 통한 제품 포트폴리오 확장 |
| Soitec | 지속 가능성 및 에너지 효율 중심의 솔루션 강조 |
시장 성장 동력 (2025~2030년)
- 전력 전자 장치에 대한 수요 증가
- LED 조명 기술의 발전
- 무선 인프라의 확장
지역 분석
북미, 특히 미국은 GaN 기판의 핵심 시장입니다.
강력한 기술 기반과 연구개발(R&D) 자금 지원으로 인해 지속적인 수요 증가가 발생하고 있으며, 방위 및 항공우주 분야에서의 고주파 응용 수요도 성장을 뒷받침하고 있습니다.
이 지역에서는 생산 비용 절감 및 신기술 개발을 위한 경쟁이 치열하며, 특히 통신 산업의 성장과 함께 시장 기회가 확대되고 있습니다.
보고서 세부 분석 영역
본 연구는 글로벌 갈륨 나이트라이드 기판 시장을 다음의 기준으로 심층 분석합니다:
- 제품 유형: 프리스탠딩 GaN, 사파이어 기반 GaN, 실리콘 기반 GaN, SiC 기반 GaN
- 응용 분야: LED, 전력 장치, RF 장치, 레이저 다이오드, 기타
- 제조 공정: 수소화물 기상 성장법(HVPE), 암모노써멀, 분자빔 에피택시(MBE)
이 분석은 20개국 이상을 대상으로 진행됩니다.
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